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学术会议文集

单晶硅激光冲击强化研究

主办单位:银河娱乐,银河娱乐官网下载物理力学专业委员会;中国科学院力学研究所;银河娱乐,银河娱乐官网下载办公室
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作者:柳沅汛;吴先前;王曦;黄晨光
摘要:将P型<100>晶向的单晶硅加热到一定温度,利用强激光诱导的冲击波对其进行强化处理。采用光学显微镜观察了激光冲击强化处理后单晶硅的表面形貌,采用显微拉曼光谱仪测量了单晶硅表面的残余应力。结果表明:随着温度的升高,激光冲击后单晶硅冲击区的裂纹变小,表面质量提高;在高温下进行激光冲击后硅片表面可以产生百兆帕量级的残余压应力,单晶硅发生了较大的塑性变形;随着激光功率密度的增加,单晶硅冲击区的表面质量、残余压应力先提高后下降,说明高温下对单晶硅进行激光冲击处理时激光功率密度存在优化窗口。随着温度、激光功率密度的改
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